金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种陶瓷加热盘及其加工方法”的专利，公开号CN120231028A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种陶瓷加热盘，以及一种陶瓷加热盘的加工方法。所述陶瓷加热盘的加工方法包括：准备常温等静压成型的陶瓷加热盘，其中，所述陶瓷加热盘的上表面为氮化铝材质，所述陶瓷加热盘的内部至少预埋有静电吸附的金属丝网电极，所述常温等静压成型的工艺温度低于25℃，而其工艺气压低于200Mpa；以及对所述陶瓷加热盘进行高温高压烧结，其中，所述高温高压烧结的工艺温度高于1500℃，而其工艺气压高于100Mpa，用于避免粘结剂或喷涂陶瓷层工艺的使用，从而在提升加热温度的同时，避免了设备腐蚀剂高静电吸附电压下的打火现象，以提高了设备的寿命及工艺的安全性能。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息316条，此外企业还拥有行政许可10个。

来源：金融界